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      Vishay

      SIR878BDP-T1-RE3

      MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK

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      SIR878BDP-T1-RE3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        3.4 V
      • 連續(xù)漏極電流
        12 A
      • 輸入偏置電容@50V
        1.85 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@15A,10V
        14.4 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3.4 V
      • 柵極電荷@10V
        38 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        5 W, 62.5 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        SO-8

      Compliance

      • 無鉛
        Y

      SIR878BDP-T1-RE3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      SIR878BDP-T1-RE3 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Digikey

        Digikey

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