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      ON Semiconductor

      QSE773E3R0

      SENSOR PHOTODIODE 940NM RADIAL

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      QSE773E3R0 器件參數

      Function

      • 波長
        940 nm
      • 暗電流
        30 nA
      • 峰值波長
        940 nm
      • 反向電壓
        32 V
      • 反向擊穿電壓
        32 V
      • 功率耗散
        150 mW
      • 下降時間
        50 ns
      • 上升時間
        50 ns

      Physical

      • 重量
        0.009556 oz
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        85 °C
      • 工作溫度
        85 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 可視角度
        120 o
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        插件,L=5.5mm

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Pb-free

      QSE773E3R0 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      QSE773E3R0 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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