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ON Semiconductor

NVTFWS9D6P04M8LTAG

MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN

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NVTFWS9D6P04M8LTAG 器件參數

Function

  • 閾值電壓
    2.4 V
  • 連續漏極電流
    64 A
  • 輸入偏置電容@30V
    2.312 nF
  • 類型
    P溝道
  • 漏源電壓
    40 V
  • 漏源導通電阻@10V,20A
    7.5 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@580uA
    2.4 V
  • 柵極電荷@4.5V
    16.2 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 反向傳輸電容@20V
    31 pF
  • 功率耗散
    75 W

Physical

  • 配置
    Single
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    WDFN-8(3.3x3.3)

Compliance

  • RoHS
    Yes

NVTFWS9D6P04M8LTAG EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

NVTFWS9D6P04M8LTAG 數據手冊

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    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Element14
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