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      Infineon

      IR2132JTRPBF

      IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC

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      IR2132JTRPBF 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動配置
        半橋
      • 驅(qū)動器數(shù)量
        6
      • 通道類型
        3-Phase
      • 輸出端數(shù)量
        6
      • 輸出電流
        500 mA
      • 負(fù)載類型
        MOSFET；IGBT
      • 類型
        IGBT, N通道 MOSFET
      • 電源電壓(Min)
        10 V
      • 電源電壓(Max)
        20 V
      • 電壓(Min)
        10 V
      • 電壓(Max)
        20 V
      • 接通延遲時間
        850 ns
      • 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
        Three Phase
      • 峰值脈沖電流
        250 mA, 500 mA
      • 功率耗散
        2 W
      • 傳播延遲
        850 ns
      • 下降時間
        35 ns
      • 上升時間
        80 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        44
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        PLCC-44

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • RoHS
        yes

      IR2132JTRPBF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IR2132JTRPBF 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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