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      Vishay

      SI4431BDY-T1-GE3

      MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO

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      SI4431BDY-T1-GE3 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        -3 V
      • 配置
        Single
      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        5.7 A
      • 漏源電阻
        30 mΩ
      • 漏源電壓
        -30 V
      • 漏源導通電阻
        30 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@5V
        20 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        10 ns
      • 功率耗散
        1.5 W
      • 關閉延遲時間
        70 ns
      • 下降時間
        10 ns
      • 上升時間
        10 ns

      Physical

      • 重量
        0.006596 oz
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SO

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      SI4431BDY-T1-GE3 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SI4431BDY-T1-GE3 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SI4431BDY-T1-GE3
        1年前
        Huaqiu Chip

      SI4431BDY-T1-GE3 圖片

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