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      ON Semiconductor

      BC327BU

      晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

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      BC327BU 器件參數

      Function

      • 額定電流
        -800 mA
      • 額定電壓
        -45 V
      • 頻率
        100 MHz, 20 MHz
      • 集電極電流
        800 mA
      • 集電極截止電流
        100 nA
      • 集電極發射極飽和電壓@500mA,50mA
        700 mV
      • 集電極-基極電壓
        -50 V
      • 集電極-發射極電壓
        45 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        45 V
      • 配置
        Single
      • 轉換頻率
        100 MHz
      • 電流增益 hFE
        100
      • 極性
        PNP
      • 晶體管類型
        PNP
      • 增益帶寬乘積
        100 MHz
      • 發射極 - 基極電壓
        5 V
      • 功率耗散
        625 mW
      • 元件數量
        1

      Physical

      • 重量
        0.006314 oz
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Bulk
      • 制造商封裝
        TO-92-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        4.58 mm
      • 長度
        4.58 mm
      • 寬度
        3.86 mm

      BC327BU EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BC327BU 數據手冊

      BC327BU 圖片

      • Huaqiu Chip

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