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NXP Semiconductors

MMG3012NT1

InGaP HBT GPA, 0-6000 MHz, 19 dB, 18.5 dBm

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MMG3012NT1 器件參數

Function

  • 頻率
    6 GHz
  • 通道數量
    1
  • 電源電壓
    5 V
  • 電流
    82 mA
  • 測試頻率
    900 MHz
  • 增益
    19 dB
  • 回路數量
    1
  • 噪聲系數
    3.8 dB
  • 功率增益
    19.0 dB
  • 供電電流
    70 mA, 82 mA
  • RF Type
    手機,PCS,PHS,WLL
  • P1dB(Min)
    18.5 dBm
  • P1dB
    18.5 dBm

Physical

  • 重量
    0.001792 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 工作溫度
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-89

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • 無鹵素
    Not Halogen Free

MMG3012NT1 數據手冊

MMG3012NT1 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Farnell

    Farnell

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