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Infineon

IRFR18N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

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IRFR18N15DPBF 器件參數

Function

  • 額定電流
    18 A
  • 額定電壓
    150 V
  • 閾值電壓
    5.5 V
  • 閘/源截止電壓
    5.5 V
  • 配置
    Single
  • 連續漏極電流
    18 A
  • 輸入偏置電容@25V
    900 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    125 mΩ
  • 漏源電壓
    150 V
  • 漏源極擊穿電壓
    150 V
  • 漏源導通電阻@11A,10V
    125 mΩ
  • 漏源導通電阻
    125 mΩ
  • 柵源電壓
    30 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    5.5 V
  • 柵極電荷@10V
    43 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    8.8 ns
  • 功率耗散
    110 W
  • 關閉延遲時間
    15 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    9.8 ns
  • 上升時間
    25 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    75
  • 制造商封裝
    TO-252

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.39 mm
  • 長度
    6.73 mm
  • 寬度
    6.22 mm

IRFR18N15DPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IRFR18N15DPBF 數據手冊

IRFR18N15DPBF 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Farnell

    Farnell

  • Digikey

    Digikey

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