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Infineon

IRLTS6342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP

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IRLTS6342TRPBF 器件參數

Function

  • 閘/源截止電壓
    -400 mV
  • 配置
    Single
  • 連續漏極電流
    8.3 A
  • 輸入偏置電容@25V
    1.01 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    17.5 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導通電阻@4.5V,8.3A
    17.5 mΩ
  • 漏源導通電阻
    17.5 mΩ
  • 柵源電壓
    12 V
  • 柵源極閾值電壓@10uA
    1.1 V
  • 柵極電荷@4.5V
    11 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    5.4 ns
  • 恢復時間
    20 ns
  • 功率耗散
    2 W
  • 關閉延遲時間
    32 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    15 ns
  • 上升時間
    11 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    6
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    SOT-23-6

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.3 mm
  • 長度
    3 mm
  • 寬度
    1.75 mm

IRLTS6342TRPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IRLTS6342TRPBF 數據手冊

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IRLTS6342TRPBF 圖片

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  • Huaqiu Chip

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