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      Rohm

      QS8J1TR

      MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8

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      QS8J1TR 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        4.5 A
      • 輸入偏置電容
        2.45 nF
      • 漏源電阻
        29 mΩ
      • 漏源電壓
        12 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -12 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        29 mΩ
      • 柵源電壓
        10 V
      • 柵極電荷
        31 nC
      • 晶體管類型
        2個(gè)P溝道(雙)
      • 接通延遲時(shí)間
        12 ns
      • 功率耗散
        1.25 W, 1.5 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        390 ns
      • 下降時(shí)間
        215 ns
      • 上升時(shí)間
        75 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SMD8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      QS8J1TR 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
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        來源
      • 1年前
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