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Infineon

IRF7855PBF

MOSFET N-CH 60V 12A 8SO

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IRF7855PBF 器件參數

Function

  • 閾值電壓
    4.9 V
  • 配置
    Single
  • 連續漏極電流
    12 A
  • 輸入偏置電容
    1.56 nF
  • 漏源電阻
    9.4 mΩ
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源極擊穿電壓
    60 V
  • 漏源導通電阻
    9.4 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@10V
    39 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    8.7 ns
  • 恢復時間
    50 ns
  • 功率耗散
    2.5 W
  • 關閉延遲時間
    16 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    12 ns
  • 上升時間
    13 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    8
  • 工作溫度
    -55 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    95
  • 制造商封裝
    SOIC

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.5 mm
  • 長度
    5 mm
  • 寬度
    4 mm

IRF7855PBF 數據手冊

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IRF7855PBF 圖片

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  • Huaqiu Chip

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