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      GaNPower

      GP1A215TS_263

      1200V N-channel GaN FET in TO263

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      GP1A215TS_263 器件參數

      Function

      • 連續漏極電流
        19.5 A
      • 漏源電壓
        1.2 kV
      • 晶體管類型
        N溝道

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        1pcs
      • 制造商封裝
        TO263

      GP1A215TS_263 數據手冊

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      • GP1A215TS_263.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      GP1A215TS_263 圖片

      • Huaqiu Chip

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