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      ON Semiconductor

      NGB8206ANT4G

      Ignition IGBT, 20 A, 350 V, N-Channel, 3-Pin D2PAK, Pb-Free, Tape and Reel

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      NGB8206ANT4G 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        20 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        1.9 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        390 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        390 V
      • 配置
        Single
      • 功率耗散
        150 W

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        800
      • 制造商封裝
        TO-263-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • 無鹵素
        Halogen Free

      NGB8206ANT4G EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NGB8206ANT4G 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • Rev. 9
        1年前
        Altium Library
      • ONSMS21515-1.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

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