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Infineon

IRF640NLPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO262

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IRF640NLPBF 器件參數

Function

  • 額定電流
    18 A
  • 額定電壓
    200 V
  • 閾值電壓
    4 V
  • 閘/源截止電壓
    4 V
  • 配置
    Single
  • 連續漏極電流
    18 A
  • 輸入偏置電容@25V
    1.16 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    150 mΩ
  • 漏源電壓
    200 V
  • 漏源極擊穿電壓
    200 V
  • 漏源導通電阻@11A,10V
    150 mΩ
  • 漏源導通電阻
    150 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    67 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    10 ns
  • 功率耗散
    150 W
  • 關閉延遲時間
    23 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    5.5 ns
  • 上升時間
    19 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    50
  • 制造商封裝
    TO-262-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    11.3 mm
  • 長度
    10.67 mm
  • 寬度
    4.83 mm

IRF640NLPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IRF640NLPBF 數據手冊

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IRF640NLPBF 圖片

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  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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