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      VBsemi

      VBL1632

      MOS N-Channel VDS=60V VGS=±10V ID=50A RDS(ON)=23Ω@10V TO263

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      VBL1632 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        50 A
      • 輸入偏置電容
        3 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,50A
        23 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3 V
      • 反向傳輸電容
        200 pF
      • 功率耗散
        150 W
      • 擊穿電壓
        60 V

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        800pcs
      • 制造商封裝
        TO-263-3

      VBL1632 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      VBL1632 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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        上傳于
        來源
      • VBL1632
        1年前
        Huaqiu Chip

      VBL1632 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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