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      STMicroelectronics

      STI24N60M2

      MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK

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      STI24N60M2 器件參數

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續漏極電流
        18 A
      • 輸入偏置電容
        1.06 nF
      • 等級
        Industrial
      • 漏源電阻
        168 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導通電阻
        190 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵極電荷@10V
        29 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        14 ns
      • 功率耗散
        150 W
      • 關閉延遲時間
        60 ns
      • 下降時間
        15 ns
      • 上升時間
        9 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        50
      • 制造商封裝
        TO-262-3

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

      Dimension

      • 高度
        9.35 mm
      • 長度
        10.4 mm
      • 寬度
        4.6 mm

      STI24N60M2 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • STI24N60M2
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      STI24N60M2 圖片

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