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      Vishay

      SIA445EDJT-T1-GE3

      MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

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      SIA445EDJT-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 輸入偏置電容@10V
        2180 pF
      • 漏源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        69 nC
      • 晶體管類型
        P-Channel

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        PowerPAK SC-70-6

      SIA445EDJT-T1-GE3 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • sia445edjt.pdf
        1年前
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