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      Vishay

      VBPW34S

      PHOTODIODE 780 TO 1050 NM

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      VBPW34S 器件參數

      Function

      • 波長
        940 nm
      • 正向電流
        50 mA
      • 正向電壓
        1.3 V
      • 暗電流
        2 nA
      • 峰值波長(Min)
        430 nm
      • 峰值波長(Max)
        1100 nm
      • 峰值波長
        430 nm, 940 nm
      • 反向電壓
        60 V
      • 反向擊穿電壓
        60 V
      • 功率耗散
        215 mW
      • 擊穿電壓
        60 V
      • 下降時間
        100 ns
      • 上升時間
        100 ns

      Physical

      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        100 °C
      • 工作溫度
        100 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 可視角度
        130 o
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        SMD,3.9x4.4mm

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1.2 mm
      • 長度
        4.4 mm
      • 寬度
        3.9 mm

      VBPW34S EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      VBPW34S 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • poYBAGPDwZuATIHaAAKYlwvqVi0072.pdf
        1年前
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      VBPW34S 圖片

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