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      Genesic

      G2R1000MT33J

      SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

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      G2R1000MT33J 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        3.5 V
      • 連續漏極電流
        4 A
      • 輸入偏置電容@1000V
        238 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        3.3 kV
      • 漏源導通電阻@2A,20V
        1.2 Ω
      • 柵源極閾值電壓@2mA
        3.5 V
      • 柵極電荷@20V
        21 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        74 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        TO-263-7

      G2R1000MT33J EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      G2R1000MT33J 數據手冊

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      • 1年前
        Electro Sonic
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      G2R1000MT33J 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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        Digikey

      • Electro Sonic

        Electro Sonic

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