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Texas Instruments (TI)

CSD86311W1723

MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

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CSD86311W1723 器件參數

Function

  • 阻值
    29 mΩ
  • 閾值電壓
    1 V
  • 閘/源截止電壓
    1 V
  • 配置
    Dual
  • 連續漏極電流
    4.5 A
  • 輸入偏置電容
    585 pF
  • 漏源電阻
    29 mΩ
  • 漏源電壓
    25 V
  • 漏源極擊穿電壓
    25 V
  • 漏源導通電阻
    39 mΩ
  • 柵源電壓
    10 V
  • 柵極電荷@4.5V
    4 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(雙)
  • 接通延遲時間
    5.4 ns
  • 功率耗散
    1.5 W
  • 關閉延遲時間
    13.2 ns
  • 下降時間
    2.9 ns
  • 上升時間
    4.3 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 端子間距
    0.5 mm
  • 引腳數
    12
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    BGA

Compliance

  • 無鉛
    Contains Lead
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

CSD86311W1723 數據手冊

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  • 1年前
    Huaqiu Chip

CSD86311W1723 圖片

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  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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