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      Diodes

      DMT3020LFDF-7

      MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN

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      DMT3020LFDF-7 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        8.4 A
      • 輸入偏置電容
        393 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,9A
        17 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        17 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.5 V
      • 柵極電荷
        7 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        700 mW

      Physical

      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Cut Tape
      • 制造商封裝
        U-DFN2020-6E

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      DMT3020LFDF-7 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      DMT3020LFDF-7 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
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        來(lái)源
      • DMT3020LFDF-7
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      DMT3020LFDF-7 圖片

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