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      Vishay

      SI7611DN-T1-GE3

      MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8

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      SI7611DN-T1-GE3 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        -1 V
      • 閘/源截止電壓
        -3 V
      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        9.3 A
      • 輸入偏置電容
        1.98 nF
      • 漏源電阻
        25 mΩ
      • 漏源電壓
        40 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -40 V
      • 漏源導通電阻
        25 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        62 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        10 ns
      • 功率耗散
        3.7 W, 39 W
      • 關閉延遲時間
        30 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        9 ns
      • 上升時間
        11 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度
        -50 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        PowerPAK1212-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1.04 mm
      • 長度
        3.05 mm
      • 寬度
        3.05 mm

      SI7611DN-T1-GE3 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SI7611DN-T1-GE3
        1年前
        Huaqiu Chip

      SI7611DN-T1-GE3 圖片

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        Huaqiu Chip

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