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      Infineon

      BSP613PH6327XTSA1

      MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4

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      Function

      • 閾值電壓
        -3 V
      • 配置
        Single
      • 連續漏極電流
        2.9 A
      • 輸入偏置電容
        875 pF
      • 漏源電阻
        110 mΩ
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -60 V
      • 漏源導通電阻
        130 mΩ
      • 漏極/柵極電壓
        60 V
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@1mA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        33 nC
      • 極性
        P
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        6.7 ns
      • 反向傳輸電容
        90 pF
      • 功率耗散
        1.8 W
      • 擊穿電壓
        -60 V
      • 關閉延遲時間
        26 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        7 ns
      • 上升時間
        9 ns
      • FET類型
        P溝道

      Physical

      • 觸點鍍層
        Tin
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-261-4

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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        Huaqiu Chip

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