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      Renesas Electronics

      70T659S10BCI

      IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

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      70T659S10BCI 器件參數(shù)

      Function

      • 訪問時間
        10 ns
      • 電源電壓
        2.4 V, 2.5 V, 2.6 V
      • 接口類型
        并聯(lián)
      • 接口
        Parallel
      • 存儲密度
        4.5 Mb
      • 存儲器類型
        SRAM
      • 存儲器容量
        4.5 Mb
      • 地址總線寬度
        34 bit
      • 同步/異步
        Asynchronous
      • 單詞大小
        36 bit
      • 供電電流
        445 mA

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        256
      • 工作溫度
        -40 °C, 85 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tray
      • 制造商封裝
        CABGA-256(17x17)

      Compliance

      • 無鉛
        Contains Lead

      Dimension

      • 長度
        17 mm
      • 寬度
        17 mm
      • 厚度
        1.4 mm

      70T659S10BCI EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      70T659S10BCI 數(shù)據(jù)手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip

      70T659S10BCI 圖片

      • Digikey

        Digikey

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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