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      Vishay

      SI3460BDV-T1-GE3

      MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

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      SI3460BDV-T1-GE3 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        1 V
      • 閘/源截止電壓
        1 V
      • 配置
        Single
      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        6.7 A
      • 輸入偏置電容
        860 pF
      • 漏源電阻
        27 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        20 V
      • 漏源導通電阻
        27 mΩ
      • 柵源電壓
        8 V
      • 柵極電荷
        24 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        5 ns
      • 功率耗散
        2 W
      • 關閉延遲時間
        25 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        5 ns
      • 上升時間
        15 ns

      Physical

      • 重量
        0.000705 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TSOP

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1 mm
      • 長度
        3.05 mm
      • 寬度
        1.65 mm

      SI3460BDV-T1-GE3 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SI3460BDV-T1-GE3 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SI3460BDV-T1-GE3
        1年前
        Huaqiu Chip

      SI3460BDV-T1-GE3 圖片

      • Huaqiu Chip

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