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      Vishay

      BPW34S

      PHOTODIODE 870 TO 1050 NM

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      BPW34S 器件參數

      Function

      • 額定功率
        215 mW
      • 波長
        900 nm
      • 反向電壓
        60 V
      • 反向擊穿電壓
        60 V
      • 功率耗散
        215 mW
      • 下降時間
        100 ns
      • 上升時間
        100 ns

      Physical

      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        2
      • 工作溫度
        -40 °C, 100 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 可視角度
        130 o
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        45
      • 制造商封裝
        DIP

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      BPW34S EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BPW34S 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • poYBAGPEgYOAaKl6AAG9N1hj2dg112.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
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      BPW34S 圖片

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