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      Vishay

      SI4214DDY-T1-E3

      MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

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      SI4214DDY-T1-E3 器件參數

      Function

      • 阻值
        19.5 mΩ
      • 連續漏極電流
        8.5 A
      • 輸入偏置電容
        660 pF
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻
        19.5 mΩ
      • 柵極電荷@10V
        22 nC
      • 晶體管類型
        2個N溝道(雙)
      • 功率耗散
        3.1 W
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

      SI4214DDY-T1-E3 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SI4214DDY-T1-E3 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SI4214DDY-T1-E3
        1年前
        Huaqiu Chip

      SI4214DDY-T1-E3 圖片

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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