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Infineon

SGP20N60HS

High Speed IGBT in NPT-Technology, PG-TO220-3-1, Tube, Green

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SGP20N60HS 器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    36 A
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    3.15 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    600 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    600 V
  • 配置
    Single
  • 柵極電荷
    100 nC
  • 晶體管類型
    NPT
  • 功率耗散
    178 W

Physical

  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    500
  • 制造商封裝
    TO-220-3

Compliance

  • 無鹵素
    Halogen Free

SGP20N60HS EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

SGP20N60HS 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    上傳于
    來源
  • INFNS14174-1.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip
  • Rev. 2.4
    1年前
    Altium Library

SGP20N60HS 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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