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      Infineon

      IR2011PBF

      IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

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      IR2011PBF 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動(dòng)配置
        低邊；高邊
      • 驅(qū)動(dòng)器數(shù)量
        2
      • 通道類型
        Independent
      • 輸出端數(shù)量
        2
      • 輸出電流
        1 A
      • 輸出電壓
        10 V, 20 V, 220 V
      • 負(fù)載類型
        MOSFET
      • 類型
        N通道 MOSFET
      • 電源電壓(Min)
        10 V
      • 電源電壓(Max)
        20 V
      • 電壓(Min)
        10 V
      • 電壓(Max)
        20 V
      • 接通延遲時(shí)間
        20 ns
      • 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
        High Side and Low Side
      • 技術(shù)
        HVIC
      • 峰值脈沖電流
        1 A
      • 功率耗散
        1 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        75 ns
      • 供電電流
        230 μA
      • 傳播延遲
        80 ns
      • 下降時(shí)間
        20 ns
      • 上升時(shí)間
        35 ns

      Physical

      • 焊端樣式
        Through Hole
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        PDIP-8

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        4.94 mm
      • 長(zhǎng)度
        10.92 mm
      • 寬度
        7.11 mm

      IR2011PBF EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IR2011PBF 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IR2011PBF 圖片

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      • Huaqiu Chip

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