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Infineon

IRLR3103TRPBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

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IRLR3103TRPBF 器件參數

Function

  • 額定電流
    55 A
  • 額定電壓
    30 V
  • 閾值電壓
    1 V
  • 配置
    Single
  • 連續漏極電流
    55 A
  • 輸入偏置電容
    1.6 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    24 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導通電阻@10V,33A
    19 mΩ
  • 漏源導通電阻
    19 mΩ
  • 柵源電壓
    16 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1 V
  • 柵極電荷@4.5V
    50 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    9 ns
  • 反向傳輸電容
    320 pF
  • 功率耗散
    107 W
  • 關閉延遲時間
    20 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    54 ns
  • 上升時間
    210 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    TO-252

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • 無鹵素
    Yes
  • RoHS
    yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.39 mm
  • 長度
    6.73 mm
  • 寬度
    6.22 mm

IRLR3103TRPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IRLR3103TRPBF 數據手冊

IRLR3103TRPBF 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Farnell

    Farnell

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