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      3天內不再提示

      Vishay

      SI4565ADY-T1-E3

      Mosfet Array 40V 6.6A, 5.6A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

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      SI4565ADY-T1-E3 器件參數

      Function

      • 配置
        Dual
      • 連續漏極電流
        4.5 A
      • 輸入偏置電容
        625 pF
      • 漏源電阻
        54 mΩ
      • 漏源電壓
        40 V
      • 漏源極擊穿電壓
        40 V
      • 漏源導通電阻
        39 mΩ
      • 柵源電壓
        16 V
      • 柵極電荷@10V
        22 nC
      • 晶體管類型
        N溝道和P溝道互補型
      • 接通延遲時間
        21 ns
      • 功率耗散
        2 W
      • 關閉延遲時間
        44 ns
      • 元件數量
        2
      • 下降時間
        56 ns
      • 上升時間
        90 ns
      • FET功能
        標準

      Physical

      • 引腳數
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        SOIC

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      SI4565ADY-T1-E3 數據手冊

      SI4565ADY-T1-E3 圖片

      • Farnell

        Farnell

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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