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ON Semiconductor

QSD123

SENSOR PHOTO 880NM TOP VIEW RAD

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QSD123 器件參數

Function

  • 額定電流
    25 mA
  • 額定電壓
    30 V, 5 V
  • 額定功率
    100 mW
  • 集電極-發射極電壓
    30 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    30 V
  • 通道數量
    1
  • 電源電壓
    5 V
  • 波長
    880 nm
  • 極性
    NPN
  • 暗電流
    100 nA
  • 晶體管類型
    NPN
  • 峰值波長
    880 nm
  • 功率耗散
    100 mW
  • 功率消耗
    100 mW
  • 擊穿電壓
    30 V
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    7 μs
  • 上升時間
    7 μs

Physical

  • 鏡頭樣式
    Domed
  • 重量
    0.010018 oz
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 方向
    Top View
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    2
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    100 °C
  • 工作溫度
    100 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 可視角度
    24 o
  • 包裝方式
    Bulk
  • 包裝數量
    250
  • 制造商封裝
    插件,D=5mm

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Pb-free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

QSD123 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

QSD123 數據手冊

  • 文檔
    標題
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    來源
  • fairs33817-1.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
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QSD123 圖片

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  • Huaqiu Chip

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