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      3天內不再提示

      ON Semiconductor

      HGTG12N60C3D

      Single Igbt, 600V, 24A; Collector Current:24A; Power Dissipation:104W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes

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      HGTG12N60C3D 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        24 A
      • 額定電壓
        600 V
      • 集電極電流
        24 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        1.65 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        600 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        600 V
      • 配置
        Single
      • 柵極電荷
        48 nC
      • 反向恢復時間
        42 ns
      • 功率耗散
        104 W

      Physical

      • 重量
        0.225401 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -40 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        30
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        20.82 mm
      • 長度
        15.87 mm
      • 寬度
        4.82 mm

      HGTG12N60C3D EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      HGTG12N60C3D 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
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        來源
      • HGTG12N60C3D
        1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

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