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      STMicroelectronics

      STGB15M65DF2

      TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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      STGB15M65DF2 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        30 A
      • 集電極-發射極電壓
        2 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        650 V
      • 類型
        溝槽場截止
      • 等級
        Industrial
      • 柵極電荷
        45 nC
      • 晶體管類型
        溝槽型場截止
      • 反向恢復時間
        142 ns
      • 功率耗散
        136 W
      • 擊穿電壓
        650 V

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Cut Tape
      • 制造商封裝
        D2PAK

      Compliance

      • 無鉛
        No

      STGB15M65DF2 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      STGB15M65DF2 數據手冊

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        來源
      • STGB15M65DF2
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      STGB15M65DF2 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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