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      3天內不再提示

      Vishay

      SISS61DN-T1-GE3

      MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK

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      Function

      • 閾值電壓
        900 mV
      • 連續漏極電流
        30.9 A
      • 輸入偏置電容@10V
        8.74 nF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源導通電阻@15A,4.5V
        3.5 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        900 mV
      • 柵極電荷@10V
        231 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 功率耗散
        5 W, 65.8 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        PowerPAK1212-8S

      Compliance

      • 無鉛
        Y

      SISS61DN-T1-GE3 數據手冊

      SISS61DN-T1-GE3 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Element14

        Element14

      • Digikey

        Digikey

      • Future

        Future

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