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      ON Semiconductor

      NGTB50N65FL2WG

      IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

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      NGTB50N65FL2WG 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        100 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        1.8 V
      • 集電極-發射極電壓
        2 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        650 V
      • 配置
        Single
      • 類型
        溝槽場截止
      • 正向電流
        100 A
      • 正向電壓
        2.1 V
      • 柵極電荷
        220 nC
      • 晶體管類型
        溝槽型場截止
      • 反向恢復時間
        94 ns
      • 功率耗散
        417 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      NGTB50N65FL2WG EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NGTB50N65FL2WG 數據手冊

      NGTB50N65FL2WG 圖片

      • Farnell

        Farnell

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Digikey

        Digikey

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