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Diodes

MMDT5551-7-F

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

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MMDT5551-7-F 器件參數

Function

  • 額定電流
    200 mA
  • 額定電壓
    160 V
  • 頻率
    300 MHz
  • 集電極電流
    200 mA
  • 集電極截止電流
    50 nA
  • 集電極發射極飽和電壓@50mA,5mA
    200 mV
  • 集電極-基極電壓
    180 V
  • 集電極-發射極電壓
    160 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    160 V
  • 配置
    Dual
  • 轉換頻率
    100 MHz
  • 電流增益 hFE@10mA,5V
    80
  • 極性
    NPN
  • 晶體管類型
    2個NPN
  • 增益帶寬乘積
    300 MHz
  • 發射極 - 基極電壓
    6 V
  • 功率耗散
    200 mW
  • 擊穿電壓
    160 V
  • 元件數量
    2

Physical

  • 重量
    0.000212 oz
  • 端子數量
    6
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    6
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-323-6

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1 mm
  • 長度
    2.2 mm
  • 寬度
    1.35 mm

MMDT5551-7-F EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

MMDT5551-7-F 數據手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • MMDT5551-7-F
    1年前
    Huaqiu Chip

MMDT5551-7-F 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Digikey

    Digikey

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