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      Diodes

      DMG7N65SJ3

      N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 650V VDS, 30±V VGS,

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      DMG7N65SJ3 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        4 V
      • 連續漏極電流
        5.5 A
      • 輸入偏置電容
        886 pF
      • 漏源電壓
        650 V
      • 柵極電荷
        25 nC
      • 晶體管類型
        N溝道

      Physical

      • 安裝方式
        DIP
      • 制造商封裝
        TO251-3

      DMG7N65SJ3 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • DMG7N65SJ3.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      DMG7N65SJ3 圖片

      • Huaqiu Chip

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