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ON Semiconductor

H11AV1VM

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

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H11AV1VM 器件參數

Function

  • 集電極發射極飽和電壓@2mA,20mA
    400 mV
  • 集電極-發射極電壓
    70 V
  • 隔離電壓
    4.17 kV
  • 通道數量
    1
  • 輸出類型
    光電三極管
  • 輸出端數量
    1
  • 輸出電壓
    70 V
  • 輸入電流
    60 mA
  • 輸入電壓類型
    DC
  • 電流傳遞比
    300 %
  • 正向電流
    60 mA
  • 正向電壓
    1.18 V
  • 回路數量
    1
  • 反向電壓
    6 V
  • 反向擊穿電壓
    6 V
  • 功率耗散
    250 mW
  • 元件數量
    1

Physical

  • 重量
    0.030159 oz
  • 引腳數
    6
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    100 °C
  • 工作溫度
    100 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Bulk
  • 制造商封裝
    DIP-6

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Pb-free

H11AV1VM EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

H11AV1VM 數據手冊

H11AV1VM 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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    Digikey

  • Farnell

    Farnell

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