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      Infineon

      SKB02N60

      Fast IGBT in NPT-Technology with Soft, Fast Recovery Anti-Parallel EmCon Diode, PG-TO263-3-2, Reel, Green

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      SKB02N60 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        6 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        2.4 V
      • 集電極-發射極電壓
        600 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        600 V
      • 配置
        Single
      • 柵極電荷
        14 nC
      • 晶體管類型
        NPT
      • 反向恢復時間
        130 ns
      • 功率耗散
        30 W

      Physical

      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-263-3

      Compliance

      • 無鹵素
        Halogen Free

      SKB02N60 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SKB02N60 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • INFNS27332-1.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • Rev. 2.2
        1年前
        Altium Library

      SKB02N60 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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