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      ON Semiconductor

      FGPF4533

      IGBT Trench 330 V 28.4 W Through Hole TO-220F-3

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      FGPF4533 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        200 mA
      • 集電極發射極飽和電壓
        1.15 V
      • 集電極-發射極電壓
        330 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        330 V
      • 配置
        Single
      • 柵極電荷
        44 nC
      • 晶體管類型
        溝道
      • 容值
        220 F
      • 功率耗散
        28.4 W

      Physical

      • 重量
        0.080072 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220-3

      FGPF4533 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • fgpf4533.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      FGPF4533 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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