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ON Semiconductor

NVMFS5C682NLWFAFT1G

MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN

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NVMFS5C682NLWFAFT1G 器件參數

Function

  • 閾值電壓
    2 V
  • 連續漏極電流
    25 A
  • 輸入偏置電容@25V
    410 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源導通電阻@10V,10A
    18 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@16uA
    2 V
  • 柵極電荷@4.5V
    2.5 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 反向傳輸電容@25V
    7 pF
  • 功率耗散
    28 W

Physical

  • 配置
    Single
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    DFN-5(5.9x4.9)

Compliance

  • 無鉛
    Y
  • RoHS
    Yes

NVMFS5C682NLWFAFT1G EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

NVMFS5C682NLWFAFT1G 數據手冊

NVMFS5C682NLWFAFT1G 圖片

  • Farnell

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  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Digikey

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