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ON Semiconductor

NVMFWS3D6N10MCLT1G

PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE

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NVMFWS3D6N10MCLT1G 器件參數

Function

  • 連續漏極電流
    132 A
  • 輸入偏置電容@50V
    4.411 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源導通電阻@10V,48A
    3 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@270uA
    3 V
  • 柵極電荷@4.5V
    29 nC
  • 反向傳輸電容@50V
    29 pF
  • 功率耗散
    139 W

Physical

  • 配置
    Single
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 制造商封裝
    DFN-5(5.9x4.9)

Compliance

  • RoHS
    Yes

NVMFWS3D6N10MCLT1G EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

NVMFWS3D6N10MCLT1G 數據手冊

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Farnell
  • NVMFWS3D6N10MCLT1G
    1年前
    Huaqiu Chip

NVMFWS3D6N10MCLT1G 圖片

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