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      ON Semiconductor

      FGD3N60UNDF

      IGBT 600V 6A 60W DPAK

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      FGD3N60UNDF 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        6 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        2.4 V
      • 集電極-發射極電壓
        600 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        600 V
      • 配置
        Single
      • 類型
        NPT
      • 柵極電荷
        1.6 nC
      • 晶體管類型
        NPT
      • 反向恢復時間
        21 ns
      • 功率耗散
        60 W
      • 擊穿電壓
        600 V

      Physical

      • 重量
        0.009184 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        TO-252

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        2.3 mm
      • 長度
        6.6 mm
      • 寬度
        6.1 mm

      FGD3N60UNDF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FGD3N60UNDF 數據手冊

      FGD3N60UNDF 圖片

      • Element14

        Element14

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Digikey

        Digikey

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