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      Texas Instruments (TI)

      LF347BDR

      IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC

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      LF347BDR 器件參數(shù)

      Function

      • 通道數(shù)量
        4
      • 輸入偏置電流
        200 pA
      • 輸入偏置電壓
        5 mV
      • 電源電壓
        18 V
      • 電源抑制比(PSRR)
        80 dB
      • 電壓增益
        100 dB
      • 帶寬
        3 MHz
      • 增益帶寬乘積
        3 MHz
      • 回路數(shù)量
        4
      • 壓擺率
        13 V/μs
      • 功率耗散
        608 mW
      • 共模抑制比
        80 dB
      • 元件數(shù)量
        4
      • 供電電流
        11 mA, 8 mA

      Physical

      • 觸點鍍層
        Gold
      • 端子間距
        1.27 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        14
      • 工作溫度
        0 °C, 70 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC-14

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      LF347BDR EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      LF347BDR 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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      • 1年前
        Huaqiu Chip

      LF347BDR 圖片

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