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Vishay

SIZ710DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

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SIZ710DT-T1-GE3 器件參數

Function

  • 閾值電壓
    2.2 V
  • 閘/源截止電壓
    2.2 V
  • 配置
    Dual
  • 通道數量
    2
  • 連續漏極電流
    16 A
  • 輸入偏置電容
    820 pF
  • 漏源電阻
    2.7 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    20 V
  • 漏源導通電阻
    6.8 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@10V
    18 nC
  • 晶體管類型
    2個N溝道(半橋)
  • 功率耗散
    4.6 W, 48 W
  • 元件數量
    2
  • 下降時間
    12 ns
  • 上升時間
    15 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 端子間距
    1.27 mm
  • 引腳數
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    PowerPAIR(6x3.7)

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    Unknown

Dimension

  • 高度
    750 μm
  • 長度
    6 mm
  • 寬度
    3.73 mm

SIZ710DT-T1-GE3 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

SIZ710DT-T1-GE3 數據手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • SIZ710DT-T1-GE3
    1年前
    Huaqiu Chip

SIZ710DT-T1-GE3 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Digikey

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