HMC8412是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為0.4 GHz至11 GHz。

它提供15.5 dB典型增益、1.4 dB典型噪聲系數和≤33 dBm典型輸出3階交調點功率(OIP3)，采用5 V電源電壓時功耗僅為60 mA。其飽和輸出功率(PSAT)≤ 20.5 dBm（典型值），因此該低噪聲放大器(LNA)可用作ADI公司眾多平衡式同相和正交(I/Q)或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅動器。

此外還具有內部匹配50 Ω的輸入和輸出，非常適合基于表貼技術(SMT)的高容量微波無線電應用。

HMC8412采用符合RoHS標準的2 mm × 2 mm、6引腳LFCSP封裝。

特性

低噪聲系數：1.4 dB（典型值）

單正電源（自偏置）

高增益：≤15.5 dB（典型值）

高OIP3：≤33 dBm（典型值）

符合RoHS標準的2 mm x 2 mm、6引腳LFCSP封裝

應用

測試儀器儀表

電信

雷達和通信

電子戰

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