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深圳市點(diǎn)面線科技有限公司

致力于與廣大中小終端,科院院校共同成長(zhǎng),將100%原裝正品的電子元器件的配套服務(wù)做到極致!解決客戶的采購(gòu)難題,打造共贏的良性合作!

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CLA80E1200HF TO-247-3 80A 1200V 單向可控硅晶閘管

型號(hào): CLA80E1200HF
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--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO-247-3
  • 電壓 1200V
  • 短褲 80A

--- 產(chǎn)品詳情 ---

符號(hào)定義條件最小值典型值最大值單位

\(V_{DRM(max)}\)

最大非重復(fù)斷態(tài)正向阻斷電壓

\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

1300--V(伏)

\(V_{RRM(max)}\)

最大反向重復(fù)峰值電壓

\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

1200--V(伏)

\(I_{RRM}\)

反向電流、漏電流

\(V_{RM}=1200\ V\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--50μA(微安)
  

\(V_{RM}=1200\ V\)\(T_{vj}=125^{\circ}C\)

--1.5mA(毫安)

\(V_T\)

正向壓降

\(I_T = 80\ A\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

-1.401.77V(伏)
  

\(I_T = 160\ A\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

-1.38-V(伏)
  

\(I_T = 80\ A\)\(T_{vj}=125^{\circ}C\)

-1.37-V(伏)
  

\(I_T = 160\ A\)\(T_{vj}=125^{\circ}C\)

-1.87-V(伏)

\(I_{T(AV)}\)

平均正向電流

\(T_{C}=115^{\circ}C\)

-80-A(安)

\(I_{T(RMS)}\)

通態(tài)方均根電流180Hz 正弦波,\(T_{vj}=150^{\circ}C\)-126-A(安)

\(V_{T0}\)

門檻電壓僅用于功率損耗計(jì)算-88-mV(毫伏)

\(r_T\)

通態(tài)斜率電阻

\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-6.3-mΩ(毫歐)

\(R_{thJC}\)

結(jié)到殼的熱阻--0.2-K/W(開(kāi)爾文 / 瓦)

\(R_{thCH}\)

殼到散熱器的熱阻-----

\(P_{tot}\)

總功耗

\(t = 10\ ms\)(50Hz,正弦波),\(T_{C}=25^{\circ}C\)

-620-W(瓦)

\(I_{TSM}\)

最大正向浪涌電流

\(t = 8.3\ ms\)(60Hz,正弦波),\(T_{vj}=45^{\circ}C\)

-900-A(安)
  

\(t = 10\ ms\)(50Hz,正弦波),\(T_{vj}=45^{\circ}C\)

-970-A(安)
  

\(t = 10\ ms\)(50Hz,正弦波),\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-765-A(安)
  

\(t = 8.3\ ms\)(60Hz,正弦波),\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-825-A(安)

Pt

晶閘管額定值

\(t = 10\ ms\)(50Hz,正弦波),\(T_{vj}=45^{\circ}C\)

-4.05-kA2s(千安平方秒)
  

\(t = 8.3\ ms\)(60Hz,正弦波),\(T_{vj}=45^{\circ}C\)

-3.92-kA2s(千安平方秒)
  

\(t = 10\ ms\)(50Hz,正弦波),\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-2.93-kA2s(千安平方秒)
  

\(t = 8.3\ ms\)(60Hz,正弦波),\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-2.83-kA2s(千安平方秒)

\(C_j\)

結(jié)電容

\(V_R = 400\ V\)\(f = 1\ MHz\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

-36-pF(皮法)

\(P_{GM}\)

最大門極功耗

\(t_{p}=300\ \mu s\)\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-10-W(瓦)

\(P_{G(AV)}\)

平均門極功耗--5-W(瓦)

\((di/dt)_c\)

臨界電流上升率

\(T_{vj}=150^{\circ}C\)\(f = 50\ Hz\),重復(fù),\(I_T = 240\ A\)

--150A/μs(安 / 微秒)
  

\(t_p = 200\ \mu s\)\(di_c/dt = 0.3\ A/\mu s\)\(I_{T(AV)} = 0.3\ A\)\(V = \frac{1}{2}V_{DRM}\),非重復(fù),\(I_T = 80\ A\)

--500A/μs(安 / 微秒)

\((dv/dt)_c\)

臨界電壓上升率

\(V_R = \frac{2}{3}V_{RRM}\)\(T_{vj}=150^{\circ}C\)\(R_G = R_{G(OP)}\),方法 1(線性電壓上升)

--1000V/μs(伏 / 微秒)

\(V_{GT}\)

門極觸發(fā)電壓

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

-1.5-V(伏)
  

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=-40^{\circ}C\)

-1.6-V(伏)
  

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-38-mV(毫伏)

\(I_{GT}\)

門極觸發(fā)電流

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--80mA(毫安)
  

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=-40^{\circ}C\)

--80mA(毫安)
  

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

--0.2mA(毫安)

\(V_{GD}\)

門極不觸發(fā)電壓

\(V_A = \frac{1}{2}V_{DRM}\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--5V(伏)

\(I_{GD}\)

門極不觸發(fā)電流-----

\(I_L\)

掣住電流

\(I_G = 10\ \mu A\)\(di/dt = 0.3\ A/\mu s\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--150mA(毫安)

\(I_H\)

維持電流

\(V_A = 6\ V\)\(R_{GK}=\infty\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--100mA(毫安)

\(t_{gd}\)

門極控制延遲時(shí)間

\(V_G = \frac{1}{2}V_{GM}\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--2μs(微秒)
  

\(I_G = 0.3\ A\)\(di_c/dt = 0.3\ A/\mu s\)

----

\(t_q\)

關(guān)斷時(shí)間

\(V_{D}=100\ V\)\(I_T = 80\ A\)\(dV/dt = 20\ V/\mu s\)\(T_{vj}=125^{\circ}C\)

--150μs(微秒)
  

\(di/dt = 20\ A/\mu s\)\(dV/dt = 20\ V/\mu s\)\(T_{vj}=200\ \mu s\)

----

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