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ADRF5545A 是一款雙通道集成式射頻 (RF) 前端多芯片模塊，專為工作頻率為 2.4 GHz 至 4.2 GHz 的時分雙工 (TDD) 應用而設計。ADRF5545A 采用雙通道配置，包含級聯兩級低噪聲放大器 (LNA) 和高功率硅單刀雙擲 (SPDT) 開關。

在高增益模式下，級聯兩級 LNA 和開關提供 1.45 dB 的低噪聲指數 (NF) 和 32 dB 的高增益（頻率為 3.6 GHz）以及 32 dBm（典型值）的輸出 3 階交調點 (OIP3)。在低增益模式下，兩級 LNA 的一級處于旁路狀態，在 36 mA 的較低電流下提供 16 dB 的增益。在關斷模式下，LNA 將關閉，器件流耗為 12 mA。

在發射過程中，當 RF 輸入連接到端電極引腳（TERM-ChA 或 TERM-ChB）時，該開關提供 0.65 dB 的低插入損耗，并在整個生命周期內處理 40 dBm 的長期演進 (LTE) 平均功率（9 dB 峰值/平均值比 (PAR)），而在單一事件（<10 秒）LNA 保護模式下為 43 dBm。

該器件采用符合 RoHS 標準的緊湊型 6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝。

應用

• 無線基礎設施
• TDD 大規模多輸入和多輸出以及有源天線系統
• 基于 TDD 的通信系統
• 集成式雙通道 RF 前端
  • 2 級 LNA 和高功率 SPDT 開關
  • 片內偏置和匹配
  • 單電源供電
• 增益
  • 高增益模式：3.6 GHz 時為 32 dB（典型值）
  • 低增益模式：3.6 GHz 時為 16 dB（典型值）
• 低噪聲指數
  • 高增益模式：3.6 GHz 時為 1.45 dB（典型值）
  • 低增益模式：3.6 GHz 時為 1.45 dB（典型值）
• 高隔離
  • RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：47 dB（典型值）
  • TERM-CHA 和 TERM-CHB：52 dB（典型值）
• 低插入損耗：3.6 GHz 時為 0.65 dB（典型值）
• TCASE = 105°C 時具有高功率處理能力
  • 整個生命周期
    • LTE 平均功率 (9 dB PAR)：40 dBm
  • 單一事件（<10 秒運行）
    • LTE 平均功率 (9 dB PAR)：43 dBm
• 高 OIP3：32 dBm（典型值）
• 關斷模式和低增益模式（針對 LNA）
• 低電源電流
  • 高增益模式：5 V 時為 86 mA（典型值）
  • 低增益模式：5 V 時為 36 mA（典型值）
  • 關斷模式：5 V 時為 12 mA（典型值）
• 正邏輯控制
• 6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝

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ADRF5515A

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ADRF5545A

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