--- 產(chǎn)品詳情 ---
4.5V 至 18V 輸入電壓、完整 LPDDR4 和 LPDDR4X 存儲器電源解決方案
DDR memory type | LPDDR4, LPDDR4X |
Control mode | D-CAP3 |
Iout VDDQ (Max) (A) | 8 |
Iout VTT (Max) (A) | 1.5 |
Iq (Typ) (mA) | 0.15 |
Output | VDDQ, VREF, VTT |
Vin (Min) (V) | 4.5 |
Vin (Max) (V) | 18 |
Features | Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support |
Rating | Catalog |
- 同步降壓轉(zhuǎn)換器 (VDD2)
- 輸入電壓范圍:4.5V 至 18V
- 輸出電壓固定為 1.1V
- D-CAP3? 模式控制,可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
- 持續(xù)輸出電流:8A
- 高級 Eco-mode? 脈沖跳躍
- 集成式 22mΩ/8.6mΩ RDS(on) 內(nèi)部電源開關(guān)
- 600kHz 開關(guān)頻率
- 內(nèi)部軟啟動:1.6ms
- 逐周期過流保護
- 鎖存輸出 OV/UV 保護
- 同步降壓轉(zhuǎn)換器 (VDD1)
- 輸入電壓范圍:3V 至 5.5V
- 輸出電壓固定為 1.8V
- D-CAP3? 模式控制,可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
- 持續(xù)輸出電流:1A
- 高級 Eco-mode? 脈沖跳躍
- 集成式 150mΩ/120mΩ RDS(on) 內(nèi)部電源開關(guān)
- 580kHz 開關(guān)頻率
- 內(nèi)部軟啟動:1ms
- 逐周期過流保護
- 鎖存輸出 OV/UV 保護
- 1.5A LDO (VDDQ)
- 1.5A 持續(xù)輸出電流
- 僅需 10μF 的陶瓷輸出電容
- 在 S3 狀態(tài)下支持高阻態(tài)輸出
- ±30mV VDDQ 輸出精度(直流 + 交流)
- 低靜態(tài)電流:150μA
- 電源正常指示器
- 輸出放電功能
- 加電和斷電排序控制
- 非鎖存 OT 和 UVLO 保護
- 18 引腳 3.0mm × 3.0mm HotRod? VQFN 封裝
TPS65296 器件能夠以最低的總成本和最小的空間為 LPDDR4/LPDDR4X 存儲器系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 JEDEC 標準中的 LPDDR4/LPDDR4X 加電和斷電順序要求。TPS65296 采用兩個同步降壓轉(zhuǎn)換器(VDD1 和 VDD2)和一個 1.5A LDO (VDDQ)。
TPS65296 采用 D-CAP3? 模式,開關(guān)頻率為 600kHz,可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)、良好的負載/線路調(diào)節(jié),并支持陶瓷輸出電容器,而無需外部補償電路。
TPS65296 利用內(nèi)部的低 Rdson 電源 MOSFET 提供了豐富的功能和很高的效率。它支持靈活的電源狀態(tài)控制,在 S3 狀態(tài)下將 VDDQ 置于高阻抗狀態(tài),在 S4/S5 狀態(tài)下對 VDD1、VDD2 和 VDDQ 進行放電。全面的保護特性包括 OVP、UVP、OCP、UVLO 和熱關(guān)斷保護。該器件采用熱增強型 18 引腳 HotRod? VQFN 封裝,并且設(shè)計用于在 –40°C 至 125°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)工作。
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相信大家在做PCB設(shè)計時,都會發(fā)現(xiàn)布線這個環(huán)節(jié)必不可少,而且布線的合理性,也決定了PCB的美觀度和其生產(chǎn)成本的高低,同時還能體現(xiàn)出電路性能和散熱性能的好壞,以及是否可以讓器件的性能達到最優(yōu)等。在上篇內(nèi)容中,小編主要分享了PCB線寬線距的一些設(shè)計規(guī)則,那么本篇內(nèi)容,將針對PCB的布線方式,做個全面的總結(jié)給到大家,希望能夠?qū)︷B(yǎng)成良好的設(shè)計習(xí)慣有所幫助。1走線長度1672瀏覽量 -
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